Домашнее задание - История развития ЭВМ

Выполняйте только если преподаватель назначил это задание.

Задание предназначено для закрепления понятийного аппарата архитектурной эволюции вычислительной техники, самостоятельного разбора физических пределов аппаратных технологий и выполнения сравнительного анализа поколений ЭВМ.

Срок сдачи сообщит преподаватель.

Разобранный пример: Инженерный анализ архитектурного перехода

При анализе любого технологического перехода в вычислительной технике рассматриваются три компонента: исходное ограничение, физический механизм преодоления и новое возникшее ограничение.

Образец разбора: Переход от I поколения (лампы) ко II поколению (дискретные транзисторы)

1. Исходное ограничение I поколения: Вакуумные лампы требовали постоянного нагрева нити накала до сотен градусов Цельсия для возникновения термоэлектронной эмиссии. Это приводило к колоссальным потерям энергии в виде тепла (сотни киловатт на машину), перегоранию вольфрамовых нитей (наработка на отказ ламп исчислялась часами) и огромным габаритам.

2. Физический механизм преодоления: Внедрение биполярного транзистора (кристалл германия/кремния с тремя областями легирования: эмиттер, база, коллектор). Управление током осуществляется инжекцией неосновных носителей заряда через p-n переходы без какого-либо нагрева и вакуума. Энергопотребление одного ключа упало с ватт до милливатт, надежность выросла на несколько порядков, габариты уменьшились в десятки раз.

3. Новое возникшее ограничение (барьер): При попытке объединить в единой вычислительной системе сотни тысяч дискретных транзисторов инженеры уперлись в «тиранию соединений» — колоссальное количество паяных соединений дискретных ножек и паразитные задержки сигналов в длинных медных проводниках между платами.

Самостоятельные упражнения

Задание 1. Разбор перехода от II к III поколению (Транзисторы → ИМС)

Используя приведенную выше методику (триаду: исходное ограничение — физический механизм решения — новое ограничение), выполните подробный инженерный разбор перехода от дискретных полупроводниковых схем к интегральным микросхемам малой и средней степени интеграции (SSI/MSI).

Задание 2. Архитектурная революция однокристального микропроцессора (IV поколение)

Почему появление однокристального микропроцессора Intel 4004 в 1971 году стало поворотным моментом не только для специализированных калькуляторов, но и для всей мировой индустрии вычислительных средств? Какие конструктивные изменения претерпела архитектура вычислительной системы при переходе на большие интегральные схемы (БИС)?

Задание 3. Анализ контрпримера: «Тепловая стена» и параллелизм

Тезис: «Если производителю современных процессоров необходимо увеличить быстродействие в два раза, наиболее простым и эффективным способом является увеличение тактовой частоты кристалла с 4 ГГц до 8 ГГц».
Опровергните данный тезис с позиций физики полупроводников (закон масштабирования Деннарда, динамическая мощность $P \sim C \cdot V^2 \cdot f$, тепловой пакет) и объясните, какой архитектурный подход применяется в вычислительных машинах с середины 2000-х годов.

Критерии проверки и порядок сдачи

Критерии оценивания домашней работы (4 балла):

  • Корректность (2 балла): безошибочное использование физических законов, параметров элементной базы и хронологических дат.
  • Объяснение (1 балл): логически безупречная аргументация причинно-следственных связей эволюции аппаратуры.
  • Проверка и опровержение (1 балл): исчерпывающий физико-математический анализ контрпримера с формулой динамической мощности.

Формат сохранения: Заполните все поля, нажмите кнопку «Печать / Сохранить в PDF» внизу страницы и сохраните файл в формате PDF для последующей отправки преподавателю.

Ответы сохраняются автоматически